نویسندگان
چکیده
در این مقاله، ابتدا به بررسی تاثیر آرایشهای مختلف گیت بر اثرات کانال کوچک ترانزیستور اثرمیدانی نانوتیوب کربن با سورس ودرین آلاییده، با حل خودسازگار معادله سه‌بعدی پواسون و معادله شرودینگر با شرایط مرزی باز در چارچوب تابع گرین ناترازمند، پرداخته شده است. نتایج نشان می‌دهند که ساختار دو گیتی دارای نوسانات زیرآستانه شبه ایدئال و کاهش سد القایی درین قابل قبولی، حتی برای اکسید گیت نسبتاً ضخیم (5 نانومتر) است. سپس مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدانی نانوتیوب کربن دوگیتی (DG-CNTFET) مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می‌دهند که افزایش قطر نانوتیوب و چگالی نانوتیوبها در DG-CNTFET جریان حالت روشن را افزایش می‌دهد. همچنین جریان حالت خاموش DG-CNTFET با افزایش ولتاژ درین افزایش می‌یابد. به‌علاوه در مورد ولتاژهای گیت منفی، در ولتاژ درین زیاد نیاز به ولتاژ گیت منفی بزرگتری داریم تا افزایش جریان درین ناشی از تونل زنی باند به باند، مشهود باشد و در ولتاژ درین کم حالتهای تشدیدی ظاهر خواهد شد.
)